站在光里，记在芯锂：存储

发布时间：2026-07-14 19:01:07 来源：威能网 作者：热点

文 任泽平

AI算力爆发，站在光里全球存储龙头SK海力士、记芯三星电子暴涨。锂存1、站在光里存储决定算力AI训练、记芯推理均需海量数据支撑，锂存存储数据的站在光里读取运行效率直接决定AI模型跑的速度。如果存储速度滞后于算力速度，记芯就会形成“内存墙”，锂存导致芯片闲置、站在光里算力损耗。记芯数据搬运能耗极高，锂存占AI芯片运行能耗的站在光里一半以上，存储综合性能对算力有决定性影响。记芯当前AI大模型参数规模突破万亿级，锂存对存储容量、带宽的需求呈指数级增长，重要性不言而喻。2、两大技术趋势芯片堆叠技术、存算一体是存储未来两大关键技术方向。芯片堆叠，以HBM为代表，把多颗DRAM芯片堆叠封装、并与GPU集成，拓宽数据通道、提升算力吞吐。未来带宽跃迁，从HBM3E向HBM4迭代升级，单颗芯片容量达24GB，带宽突破2.4Tbps，读写速度倍增，成为AI服务器核心技术支撑，更适配下一代AI大模型训练。存算一体，就是让存储离计算更近。在存储单元内嵌计算能力，实现数据原地计算，大幅减少数据传输延迟和能耗损耗。存算一体芯片可将数据传输延迟降低50%以上，运算能耗减少30%-60%。3、全球存储格局：寡头垄断、国产崛起全球存储市场呈寡头垄断格局，赛道分为DRAM、NAND、HBM。DRAM领域，三星、SK海力士、美光占据超90%市场份额。NAND闪存领域，三星、SK海力士、铠侠等市占率超85%。高带宽存储HBM是现在AI服务器标配。近两年全球存储全面涨价2-3倍，本质就是HBM需求爆发带来的供给紧缺，涨价外溢。HBM领域，SK海力士以60%全球份额主导市场，深度绑定英伟达。目前国产HBM已进入小批量产阶段，多家企业布局存算一体芯片，借AI弯道超车，开始打破海外垄断。4、AI不是风口，是海啸我今年1月初从美国考察回来提醒：AI不是风口，是海啸，远超30年前的IT互联网。超级应用大爆发，中国力量崛起。AI的背后是算力，算力的背后是电力。这是我们这代人最重要的机遇，人生发财靠周期。AI海啸1：经济学家任泽平赴美考察回来提醒，AI不是风口，是海啸AI海啸2：2026十大年度预测：AI改变世界AI海啸3：算力大爆发，未来三大趋势大势研判，你可以相信身经百战的老法师，大满贯冠军分析师，最贵经济学家，3500万订阅。清华大学博士后，耶鲁大学创新学者，国务院发展研究中心前智囊。

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